IGBT模块工作原理及接线图
作为新型电力半导体器件的主要代表，IGBT 被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。随着半导体材料和加工工艺的不断进步，IGBT 的电流密度、耐压和频率不断得到提升。目前，市场上的 IGBT 器件的耐压高达 6500V，单管芯电流高达 200A，频率达到 300kHz。在高频大功率领域，目前还没有任何一个其它器件可以代替它。本文着重分析讨论 IGBT 器件的设计要点。
IGBT 的基本结构和工作原理
从图 1 可以看出，IGBT 是一个复合器件，由一个 MOSFET 和一个 PNP 三极管组成，也可以把它看成是一个 VDMOS 和一个PN 二极管组成。图 2 是 IGBT 的等效电路。
图 1 IGBT 原胞的基本结构
图 2 IGBT 器件的等效电路图
1. IGBT 的 静态特性
常规 IGBT 只有正向阻断能力，由 PNP 晶体管的集电结承担，而其反向的电压承受能力只有几十伏，因为 PNP 晶体管的发射结处没有任何终端和表面造型。
IGBT 在通态情况下，除了有一个二极管的门槛电压（0.7V 左右）以外，其输出特性与 VDMOS 的完全一样。图 3 一并给出了 IGBT 器件的正、反向直流特性曲线。
IGBT 的主要静态参数：
阻断电压 V（BR）CES – 器件在正向阻断状态下的耐压；
通态压降 VCE(on) – 器件在导通状态下的电压降；
阈值电压 VGEth – 器件从阻断状态到导通状态所需施加的栅极电压 VG
图 3 IGBT 器件的正、反向直流特性
2. IGBT 的开关特性
IGBT 的开关机理与 VDMOS 完全一样，由 MOS 栅来控制其开通和关断。所不同 的是 IGBT 比 VDMOS 在漏极多了一个 PN 结，在导通过程中有少子空穴的参与，这就是所谓的电导调制效应。 这一效应使得 IGBT 在相同的耐压下的通态压降比 VDMOS的低。由于在漂移区内空穴的存在，在 IGBT 关断时，这些空穴必须从漂移区内消失。与 VDMOS 的多子器件相比，IGBT 双极器件的关断需要更长的时间。
图 4 IGBT 器件的开关特性
IGBT 的主要开关参数：
开通时间 (td(on)+tr) – 器件从阻断状态到开通状态所需要的时间；
关断时间 (td(off)+tf) – 器件从开通状态到阻断状态所需要的时间； 开通能量(Eon) – 器件在开通时的能量损耗；
关断能量(Eoff) – 器件在关断时的能量损耗。
本文标题：IGBT模块工作原理及接线图
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